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MATLAB金融不可多得的好书，深入探讨了金融计算的各个方面，帮助读者快速掌握相关技能。

在 MATLAB 中，您可以调整变量的显示精度，以便更清楚地查看计算结果的小数位数。使用 format 命令可以设置不同的显示精度。例如，format long 可以显示更多的小数位，而 format short 则显示较少的小数位数。通过这种方式，您可以根据需要控制输出的精度，以适应不同的计算需求。 以下是一些常见的格式设置：- format short：显示 4 位小数。- format long：显示 15 位小数。- format bank：显示 2 位小数，适合货币表示。 调整显示精度不会改变变量的实际值，只影响输出显示。

Avoid using calculations on indexed columns in the WHERE clause, as this can prevent the optimizer from using the index and lead to a full table scan. Inefficient example:tSELECT … FROM DEPT WHERE SAL * 12 > 25000; Efficient example:tSELECT … FROM DEPT WHERE SAL > 25000 / 12;

移动光标水平向右，输入2再移动光标向上输入1.5，按鼠标左键确认。 按空格键转成极坐标，此时精准绘图工具轴向配合像素轴向，请按立即键'V'将指针轴向与窗口轴向平行，移动光标向右上方，确定精准绘图工具窗口上角度=10后，在距离栏内输入2再按鼠标左键确认。 移光标至左上角先确定角度栏=250，然后在距离栏内输入4定义长度后按鼠标左键确认。 按立即键'V'使指针轴向平行窗口，再将光标移到左上角，确定角度=140（请注意，红色轴向代表X轴向），在距离栏内输入5，按鼠标左键确认。 移动光标至左下角，在距离栏输入1.5后以方向键将输入焦点移到角度栏后输入91度再按鼠标左键确认。 按立即键'V'使指针轴向与窗口轴向平行，移动光标水平向左直到出现“短线界标”为止，再按鼠标左键确认。 再向下直到出现短线界标为止，按鼠标左键确认。 移动光标水平向左后按，限制只能画水平线，移光标至起点位置。 在抓点符号出现的状态下按鼠标左键确认。 抓取起点将图形封闭。 按立即键'K'，出现抓等份端点设定交谈框，输入4后按。 选择画圆工具，移光标至J点后按鼠标左键定义圆形中心。 移光标至AJ直线上约四分之一处，直到抓点符号出现，按鼠标左键定义半径。 移光标至AJ直线中点，按鼠标左键确认。 移动鼠标光标直到动态圆形暂时卡住不动为止（它会记住上一段距离），按鼠标左键确认。

Matlab基础向量与矩阵运算 在Matlab中，矩阵运算是核心功能之一，主要包括以下几种操作： 矩阵加法：对于两个矩阵A和B，它们的维度必须相同才能进行加法运算。运算符是+，例如：C = A + B; 矩阵乘法：矩阵的乘法规则是：A的列数必须等于B的行数，运算符是*，例如：C = A * B; 矩阵转置：使用单引号(')来转置矩阵，例如：C = A'; 矩阵求逆：对于方阵A，可以使用inv函数来求逆，例如：B = inv(A); 点积与叉积：Matlab支持向量的点积和叉积，例如：dot_product = dot(A, B);cross_product = cross(A, B); 通过这些基本的矩阵操作，可以完成大量的数学计算，广泛应用于数据分析、工程计算等领域。

6.1 Quantized Conduction Gate Resistance The conduction gate resistance Rg(ON) is selected based on the switching time tsw to achieve the desired switching performance. To calculate the gate resistance, we need to know the power supply voltage VDD (or VBS), the equivalent on-state resistance of the gate driver RDRV(ON), and the switching parameters of the device (Qg, Qgd, and Vgs(th)). The switching time is defined as the time taken to reach the platform voltage, where the total charge Qgd + Qgd is provided to the MOSFET, as shown in Figure 21.The calculation for the gate conduction resistance is as follows:[ Rg(ON) = \text{Function of } VDD, Qg, Qgd, Vgs(th), \text{and } RDRV(ON) ] ### 6.2 Output Voltage SlopeThe conduction gate resistance Rg(ON) also controls the output voltage slope dVOUT/dt. When the output voltage is nonlinear, the large output voltage slope can be approximated as:[ \frac{dVOUT}{dt} = \frac{Ig(avr)}{Cgd(off)} ]Where Cgd(off) represents the Miller capacitance (also defined as Crss in the datasheet). ### 6.3 Quantized Gate Resistance in Off-StateThe quantization of the off-state gate resistance occurs when external actions force rectification when the MOSFET's drain is in the off-state. In this case, the output node's dV/dt induces a parasitic current to flow through Cgd, towards RG(OFF) and RDRV(OFF), as shown in Figure 22.The gate threshold voltage Vgs(th) and the drain-source dV/dt are related in the following equation:[ ISINK \geq \frac{1.5 \times QG}{tSW} ]Finally, the total resistance is determined by:[ RTOTAL = Rg(ON) + RDRV(ON) + \frac{VDD}{Vgs + Ig(avr)} ] This equation links the total resistance with the gate voltage and output voltage slope, ensuring that the switching characteristics meet the specified parameters.