在考虑波束相互作用腔中的射频场、聚焦磁场以及空间电荷产生的静电场和空间电子束形成的自洽相互作用的基础上,针对典型的高功率微波器件——磁绝缘线振荡器,建立了单边次级电子倍增模型。通过统计分析整个倍增过程中次级电子数目及器件腔壁吸收碰撞电子能量随时间的变化规律,研究了不同聚焦磁场值和电子碰撞角对次级电子倍增的影响。