2.6完整的高电压栅极驱动集成电路通常包含寄生二极管,这些二极管可能在前向或反向击穿时导致寄生SCR闭锁。闭锁效应的后果通常难以预测,可能导致器件工作不稳定甚至完全失效。栅极驱动集成电路也可能因初次过压而间接损坏。例如,闭锁可能导致两个输出驱动器同时处于高电平状态,发生交叉导通,从而引发开关故障,最终导致栅极驱动器集成电路的灾难性损坏。若功率转换电路或栅极驱动集成电路受到损坏,闭锁效应应被视为可能的根本原因。下面的理论极限可用于解释VS电压严重不足与闭锁效应之间的关系。在一个典型的例子中,使用了理想自举电路,其VDD由零欧姆电源驱动,通过理想二极管连接到VB(见图9)。当大电流流过续流二极管时,由于di/dt很大,VS电压将低于地电压。这种情况下,闭锁危险就会发生,因为栅极驱动器内部的寄生二极管DBS将在VS到VB方向导通,导致电压VS下降并叠加VDD,从而使自举电容过度充电(见图10)。例如,如果VDD=15V,VS下降超过10V,浮动电源电压可能超过25V,二极管DBS可能会被击穿,从而产生闭锁现象。